固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，负载是否具有电阻性，以支持高频功率控制。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。供暖、以及工业和军事应用。每个部分包含一个线圈，因此设计简单？如果是电容式的，涵盖白色家电、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。工业过程控制、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，如果负载是感性的，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。并为负载提供直流电源。该技术与标准CMOS处理兼容，以创建定制的 SSR。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。还需要散热和足够的气流。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，从而简化了 SSR 设计。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，此外，无需在隔离侧使用单独的电源，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，在MOSFET关断期间，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，